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圖1。（a）x=0−0.2的(de)SGOC的(de)XRD圖譜。（b）Sc2O3的(de)晶體結構。（c）Sc2O3中Sc1和Sc2位(wei)點的(de)協(xie)調(diao)環境。（d）Rietveld對x=0的(de)SGOC進(jin)(jin)行了(le)改進(jin)(jin)。（e）x=0−0.2時SGOC的(de)晶格參數。（a）中的(de)星號符(fu)號表示Ga1.17Sc0.83O3雜質相(xiang)的(de)衍射峰。
圖3。Cr K邊XANES光譜和（b）EXAFS光譜的Cr K邊k2加權傅里葉變換。
圖4。SGOC中Cr3+和Cr4+發光的溫度依賴性。溫度依賴性發射光譜為（a）Cr3+在473nm處激發時和（b）Cr4+在980nm處激發時，x=0.10。（c）x=0和0.10時fwhm的溫度依賴性。（d）x=0和0.10時Cr3+和Cr4+的總排放強度。紫色圓圈和綠點分別表示x=0和x=0.10中的Cr4+。青色圓圈和紅色圓點分別表示x=0和x=0.10中的Cr3+。實線表示使用公式（4和5）對實驗數據的擬合。x=0.10時（e）Cr3+和（f）Cr4+離子的構型坐標圖。
圖5。SGOC中Cr3+和(he)Cr4+發光(guang)的(de)(de)壓(ya)力(li)依賴性(xing)，x=0.10。（a）473nm激(ji)發的(de)(de)Cr3+發射在不同(tong)壓(ya)力(li)下的(de)(de)歸(gui)一化(hua)(hua)RT發射光(guang)譜。（b）相(xiang)變(bian)后的(de)(de)Cr3+發光(guang)。（c）用980nm激(ji)發的(de)(de)Cr4+發射在不同(tong)壓(ya)力(li)下的(de)(de)歸(gui)一化(hua)(hua)RT發射光(guang)譜。（d）能量尺度中與壓(ya)力(li)相(xiang)關的(de)(de)排放(fang)變(bian)化(hua)(hua)。（e）相(xiang)變(bian)前(qian)Cr3+和(he)Cr4+離子(zi)選定能級的(de)(de)壓(ya)力(li)依賴性(xing)示意圖。黑(hei)色實線和(he)灰(hui)色虛線與4 T2能級能量減少S有關?ω和(he)2S?ω、 分別。
