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SESAM半導體可飽和吸收鏡

產品特點:SESAM半導體(ti)(ti)可(ke)飽(bao)(bao)和(he)吸(xi)收(shou)鏡結構是(shi)由一面鏡子(zi)和(he)它前面的(de)一個飽(bao)(bao)和(he)吸(xi)收(shou)體(ti)(ti)組(zu)成(cheng)。鏡子(zi)的(de)單晶層和(he)吸(xi)收(shou)體(ti)(ti)生長在(zai)砷化鎵(jia)晶圓(yuan)上。

產品價格:

廠商性質:生產(chan)廠家

更新時間:2026-01-19

產品型號:SAM等

訪問量:2592

SAM等SESAM半導體可飽和吸收鏡的詳細資料:

德(de)國BATOP GmbH公司(si)可(ke)飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)產品(pin)包(bao)括:SAM半導體可(ke)飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)鏡(jing)(Semiconductor Saturable absorber mirror)、SA – 可(ke)飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)體(Saturable Absorber in transmission)、RSA 諧(xie)振飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)器(Resonant Saturable Absorber in transmission)、RSAM共(gong)振可(ke)飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)鏡(jing)(Resonant Saturable absorber mirror)、SANOS 可(ke)飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)噪聲去除腔(qiang)(Saturable Noise Suppressor)。 迄今為止(zhi),可(ke)飽(bao)(bao)(bao)和(he)(he)吸(xi)(xi)(xi)收(shou)產品(pin)已經覆蓋了800nm到(dao)3.0μm的常(chang)用激光波長范圍。

德國BATOP GmbH公司致力于(yu)研發和生產半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)非線性光學(xue)器件,如半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)可飽和吸收(shou)體(ti)(ti)、可提(ti)升激光信噪比的可飽和噪聲抑制器、太赫茲光電導(dao)天線等(deng)。 同時還(huan)提(ti)供(gong)光電器件的GaAs基底上(shang)生長GaAs/AlAs/InAs薄膜結構、晶圓加工、器件封裝(zhuang)和器件測(ce)試等(deng)。

可(ke)(ke)(ke)飽和(he)吸收(shou)(shou)產品包括(kuo):SAM半(ban)導體可(ke)(ke)(ke)飽和(he)吸收(shou)(shou)鏡(Semiconductor Saturable absorber mirror)、SA – 可(ke)(ke)(ke)飽和(he)吸收(shou)(shou)體(Saturable Absorber in transmission)、RSA 諧振飽和(he)吸收(shou)(shou)器(Resonant Saturable Absorber in transmission)、RSAM共振可(ke)(ke)(ke)飽和(he)吸收(shou)(shou)鏡(Resonant Saturable absorber mirror)、SANOS 可(ke)(ke)(ke)飽和(he)噪聲去除(chu)腔(Saturable Noise Suppressor)。 迄今為止,可(ke)(ke)(ke)飽和(he)吸收(shou)(shou)產品已經覆蓋(gai)了800nm到3.0μm的常用(yong)激光(guang)波(bo)長范圍。

SAM

SESAM半導體可飽和吸收鏡 (Saturable Absorber Mirror)

  • SAM結構是由(you)一面鏡子和它前面的一個飽和吸收(shou)體(ti)組成。鏡子的單晶(jing)層和吸收(shou)體(ti)生長在(zai)砷化(hua)鎵晶(jing)圓上(shang)。

  • SAM實際上(shang)是(shi)一(yi)面非線性的鏡(jing)子。他的反射率隨脈沖能量的增加而增加。

  • 應用(yong):利(li)用(yong)飽(bao)和吸收鏡(SAM),可以實現具有非常穩定脈沖重復率的自啟動(dong)(dong)被動(dong)(dong)鎖模二極(ji)管泵浦(pu)激光(guang)器(qi)(qi)(qi)、固體(ti)激光(guang)器(qi)(qi)(qi)和光(guang)纖激光(guang)器(qi)(qi)(qi),光(guang)譜范圍(wei)涵蓋800nm~3.2μm m內都(dou)可以使用(yong)。此外(wai),還可以利(li)用(yong)SAM作為非線性(xing)光(guang)學器(qi)(qi)(qi)件(jian)來實現q開關微晶片激光(guang)器(qi)(qi)(qi)。

 

RSAM 共振飽和吸(xi)收鏡(Resonant Saturable Absorber Mirror)

  • 用于固態激光器的無源鎖模,用作激光輸出元件。RSAM

  • RSAM被(bei)設計(ji)成一個共(gong)振的(de)Gires Tournois干涉儀(yi),吸(xi)收(shou)層位于(yu)(yu)共(gong)振腔內(nei)光(guang)場的(de)陽極。RSAM是(shi)一種非線性光(guang)學器件,對如(ru)噪聲(sheng)具有很低的(de)反射率(lv),對高功率(lv)信號(hao)(如(ru)光(guang)脈(mo)沖)具有很高的(de)反射率(lv)。光(guang)脈(mo)沖使吸(xi)收(shou)器材料(liao)在RSAM的(de)共(gong)振腔內(nei)飽和(he)。由于(yu)(yu)吸(xi)收(shou)材料(liao)的(de)恢復時間短,RSAM在反射脈(mo)沖后及(ji)時過(guo)濾噪聲(sheng)。RSAM的(de)重要(yao)參數是(shi)共(gong)振波長、帶寬和(he)飽和(he)通量。RSAM應用(yong)于(yu)(yu)光(guang)噪聲(sheng)抑制,例(li)如(ru)在EDFA或(huo)脈(mo)沖選擇器之后光(guang)-光(guang)波長轉換(huan)。

 

SESAM半導體可飽和吸收鏡 SOC飽(bao)和(he)輸出耦合器(Saturable Output Coupler )

  • 用于固態激光器的無源鎖模,用作激光輸出元件。SOC

  • 使用一個飽和輸出耦合器(SOC),一個自(zi)啟(qi)動,被動鎖模(mo)或q開關二極管泵浦固體或光(guang)纖(xian)激光(guang)器,其布(bu)局非常簡(jian)單。SOC是一(yi)個飽和(he)吸收鏡(jing)(SAM)與輸出(chu)耦合(he)鏡(jing)的組合(he)。

 

SANOS飽和噪聲抑制器(Saturable Noise Suppressor)

SANOS

  • 用于抑制光噪(zao)聲,例如光放大器后的(de)ASE或脈沖提(ti)取器后的(de)剩余脈沖。

 

SA可飽和(he)吸收器( Saturable Absorber )

  • 用于適用于傳動裝置的飽和吸收器,用于固態SA、環形(xing)或(huo)光(guang)(guang)纖(xian)環形(xing)激光(guang)(guang)器(qi)的無源(yuan)鎖模。

  • 無Bragg鏡(jing)片的(de)可飽和吸收體可以(yi)用于自啟動(dong)、被動(dong)鎖模的(de)激光(guang)器,但是它是工作(zuo)在(zai)傳輸模式下。它可以(yi)插入到環(huan)形光(guang)纖激光(guang)器中。

  • SA的飽和通量比SAM高(gao)很多

 

RSA共振飽和吸收體( Resonant Saturable Absorber in transmission )

  • 共振飽和吸收器可用于環形激光器的被動鎖模。具有以下特殊性能:低強度時,共振RSA波(bo)長(chang)處(chu)的(de)反射率(lv)(lv)為(wei)零。共(gong)振(zhen)之外的(de)所有波(bo)長(chang)的(de)透(tou)過(guo)率(lv)(lv)為(wei)零。在(zai)(zai)共(gong)振(zhen)波(bo)長(chang)處(chu),透(tou)射率(lv)(lv)隨(sui)脈沖強度的(de)增(zeng)大(da)而增(zeng)大(da)。飽(bao)和通量明顯低于SA,甚至低于典型的(de)SAM。上(shang)述特(te)性使被動鎖(suo)模(mo)光(guang)纖環形激(ji)(ji)光(guang)器(qi)的(de)構建成(cheng)為(wei)可能(neng),該激(ji)(ji)光(guang)器(qi)的(de)激(ji)(ji)光(guang)波(bo)長(chang)固(gu)定在(zai)(zai)RSA的(de)諧振(zhen)波(bo)長(chang)處(chu),連續波(bo)鎖(suo)模(mo)啟(qi)動的(de)功率(lv)(lv)閾值較低。


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